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          > IGBT驱动 > 文章正文

          IGBT模块的门极驱动

          额定门极驱动电压:
          门极驱动电压在±20V范围内施加超过此范围的电压时,门极-发射极间的氧化膜(SiO2)有可能发生绝缘破坏或导致可靠性下降。
          额定门极驱动电压
          开通-门极驱动电压:
          开通-门极驱动电压标准为+15V。诸如12V、10V的低门极驱动电压会造成集电极损耗增加。6V时IGBT基本上不开通,此时集电极-发射极上施加电源电压。施加这样的低门极电压时,有可能由于过大的损耗导致元件损坏。
          开通-门极驱动电压
          关断时门极反向偏置电压(-VGE):
          为避免由于噪声干扰造成的误动作,关断时请在IGBT门极施加(-5V)-(-15V)的反向偏置电压。
          关断时门极反向偏置电压(-VGE)
          开通门极电压、关断时门极反向偏置电压与开关速度-噪声干扰的关系:
          如果提高开通门极电压+VGE,开通速度会上升,开通损耗会下降。相反,开通时的噪声干扰会增加。同样,如果提高关断门极电压-VGE,关断速度会上升,关断损耗会下降。相反,关断时的浪
          涌电压及噪声干扰会增加。+VGE、-VGE和下一项的RG都是影响开关速度的主要因素。
          开通门极电压、关断时门极反向偏置电压
          门极阻抗RG和开关特性:
          门极阻抗RG和开关特性
          门极电容:
          输入电容:Cies = Cge + Cgc
          Reverse Transfer 电容:Cres = Cgc
          输出电容:Coes = Cce + Cgc
          门极电容
          发射极门极反向偏置电压和门极-发射极之间的阻抗RGE:
          由于高dv/dt而导致位移电流流动,并且门极电位上升。
          发射极门极反向偏置电压和门极-发射极之间的阻抗RGE
          门极反向偏置电压和旁路电阻对降低冲击电流(IGBT损耗)有效
          门极反向偏置电压和旁路电阻对降低冲击电流(IGBT损耗)有效
          门极配线:
          为了避免有害的振荡,请注意以下事项。
          ● 尽量让门极配线远离主电路配线,并避免使两者平行。
          ● 交叉时,请以正交交叉。
          ● 不要将多根门极配线捆扎在一起。
          ● 追加共模扼流圈和铁氧体磁环也可达到一定的效果。
          门极配线
          门极充电和驱动电流-功率:
          门极充电和驱动电流-功率
          门极驱动损耗PG、最高门极驱动电流iGP的计算范例
          (+VGE=15V、-VGE=-15V、f=10kHz)PG={(+VGE)-(-VGE)}×Qg×f=30×690×10-9×104=0.207 (W)
          假设在500ns时开通 ;
          iGP = Qg / ton=690×10-9 / 500×10-9=1.4 (A)

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