FF200R12KS4英飞凌IGBT模块

产品作用和性能：

英飞凌FF200R12KS4 是英飞凌公司专门针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series模块，在变频器中的应用实现了系统的高效率和小型化，其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥最大优良特性。而在典型情况下， IGBT模块的优化，所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常，在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速模块在进行性能折衷时，是让通态电压偏大，以换取偏低的开关功耗，从而能在高频应用中实现最低的总功耗。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。

英飞凌IGBT模块FF200R12KS4

上海菱端电子科技有限公司www.minaco-uk.com常备FF200R12KS4大量现货，价格从优，欢迎联系采购及技术支持。

英飞凌FF200R12KS4机械特性：

• 封装的CTI>400

• 高爬电距离和电气间隙

• 绝缘的基板

• 铜基板

• 标封装

英飞凌FF200R12KS4 基本参数:IGBT模块,1200V/200A DUAL

英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图

英飞凌FF200R12KS4 产品参数：

产品种类： IGBT 模块

产品： IGBT Silicon Modules

品牌和型号英飞凌FF200R12KS4

配置： Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 3.2 V

在25 C的连续集电极电流： 275 A

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

功率耗散： 1.4 kW

最大工作温度： + 125 C

封装 / 箱体： 62 mm

商标： Infineon Technologies

栅极/发射极最大电压： +/- 20 V

最小工作温度： - 40 C

安装风格： Screw

产品价格和中英文资料联系我们咨询和索取

每盒数量： 10

英飞凌FF200R12KS4 等效电路

英飞凌FF200R12KS4 IGBT模块受损原因分析

IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

　　--IGBT栅极与发射极之间的电压;

　　--IGBT集电极与发射极之间的电压;

　　--流过IGBT集电极-发射极的电流;

　　--IGBT的结温。

　　如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。

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