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FF200R12KS4英飞凌IGBT�？�
产品作用和性能：
英飞凌FF200R12KS4 是英飞凌公司专门针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series�？�，在变频器中的应用实现了系统的高效率和小型化，其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥最大优良特性 。而在典型情况下， IGBT�？榈挠呕�，所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常，在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速�？樵诮行阅苷壑允�，是让通态电压偏大，以换取偏低的开关功耗，从而能在高频应用中实现最低的总功耗。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。
英飞凌IGBT�？镕F200R12KS4
上海菱端电子科技有限公司www.minaco-uk.com常备FF200R12KS4大量现货，价格从优，欢迎联系采购及技术支持。
英飞凌FF200R12KS4机械特性 ：
英飞凌FF200R12KS4机械特性 ：
• 封装的CTI>400
• 高爬电距离和电气间隙
• 绝缘的基板
• 铜基板
• 标封装
英飞凌FF200R12KS4 基本参数:IGBT�？�,1200V/200A DUAL
英飞凌FF200R12KS4 基本参数:IGBT�？�,1200V/200A DUAL
英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
英飞凌FF200R12KS4 产品参数：
产品种类： IGBT �？�
产品： IGBT Silicon Modules
品牌和型号 英飞凌FF200R12KS4
配置： Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 3.2 V
在25 C的连续集电极电流： 275 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 1.4 kW
最大工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： 62 mm
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
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每盒数量： 10
英飞凌FF200R12KS4 等效电路
英飞凌FF200R12KS4 IGBT�？槭芩鹪蚍治�
IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：
--IGBT栅极与发射极之间的电压;
--IGBT集电极与发射极之间的电压;
--流过IGBT集电极-发射极的电流;
--IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。
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