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薄膜电容器的结构及工艺介绍
一、薄膜电容器结构：
1‐nut 螺母 2‐bottom cover 外封底盖 3‐Al case 铝壳 4‐label 标签 5‐element 芯子6‐conductor plate 导电线 7‐core 芯棒8‐insolated plastic cover 塑料衬底盖 9‐electrode 电极10‐plastic cover 塑料盖
二、卷绕技术
在传统的生产工艺中，金属化塑料薄膜电容器通过将成对薄膜卷绕在塑料芯棒上然后在电容器外包上绝缘套制作而成。
1. 标称容量CN：通常在电容器上标示的已指定的容量值。
2. 额定电压UN、和纹波电压Ur（如下图）。
3. 非周期性浪涌电压Us：由切换或系统中任何其他的扰动所导致的峰值电压，此电压只允许出现有限的次数并且其持续的时间要比基本周期短。
4. 绝缘电阻Rins ：绝缘电阻为电容器充电一分钟后所加的直流电压和流经电容器的漏电流值之比。
5. 绝缘电压Ui：为电容器端子对外壳或对地间的绝缘而设计的正弦波电压的方均根值。
6. 最大峰值电流I：持续运行期间可重复出现的最大峰值电流。
7. 最大电流Imax：持续运行时的最大电流的方均根值。
8. 最大浪涌电流Is：由切换或在系统中任何其他的扰动所导致的不可重复的峰值电流，此电流只允许出现有限的次数并且其持续的时间要比基本周期短。
9. 串联电阻Rs : 在规定的运行条件下，电容器的导体的有效欧姆电阻。
10. 等效串联电阻Resr：一个有效电阻，当它和所探讨的电容器有相等电容值的理想电容器相串联时，在规定的运行条件下，该电阻的损耗功率将等于该电容器中耗散的有功功率。
11. 电容器损耗角正切tan δ ：在规定的正弦交流电压、频率和温度下，电容器的等效串联电阻与其容抗间之比。
12. 电容器损耗：电容器中所消耗的有功功率。
13. 最大功率损耗Pmax ：电容器在最高外壳温度下可运行的最大损耗功率。
14. 外壳温升Δθcase：外壳最热点的温度与冷却空气温度之差。
15. 稳定状态的条件：电容器在恒定的输出和恒定的冷却空气温度下所达到的热平衡。
16. 热点温度θhs：电容器里出现最高温度的区域的温度。
17. 热阻Rth ：热阻用每瓦特热损耗导致电容热点温度比环境温度升高的度数来表示。
二、卷绕技术
在传统的生产工艺中，金属化塑料薄膜电容器通过将成对薄膜卷绕在塑料芯棒上然后在电容器外包上绝缘套制作而成。
图2：卷绕技术中的传统生产工艺
三、名词术语1. 标称容量CN：通常在电容器上标示的已指定的容量值。
2. 额定电压UN、和纹波电压Ur（如下图）。
图3：电压/电流‐时间波形图
额定直流电压 UNDC：设计电容器时所采用的非反复型波形的任一极性的可连续运行的最高运行峰值电压。3. 非周期性浪涌电压Us：由切换或系统中任何其他的扰动所导致的峰值电压，此电压只允许出现有限的次数并且其持续的时间要比基本周期短。
4. 绝缘电阻Rins ：绝缘电阻为电容器充电一分钟后所加的直流电压和流经电容器的漏电流值之比。
5. 绝缘电压Ui：为电容器端子对外壳或对地间的绝缘而设计的正弦波电压的方均根值。
6. 最大峰值电流I：持续运行期间可重复出现的最大峰值电流。
7. 最大电流Imax：持续运行时的最大电流的方均根值。
8. 最大浪涌电流Is：由切换或在系统中任何其他的扰动所导致的不可重复的峰值电流，此电流只允许出现有限的次数并且其持续的时间要比基本周期短。
9. 串联电阻Rs : 在规定的运行条件下，电容器的导体的有效欧姆电阻。
10. 等效串联电阻Resr：一个有效电阻，当它和所探讨的电容器有相等电容值的理想电容器相串联时，在规定的运行条件下，该电阻的损耗功率将等于该电容器中耗散的有功功率。
11. 电容器损耗角正切tan δ ：在规定的正弦交流电压、频率和温度下，电容器的等效串联电阻与其容抗间之比。
12. 电容器损耗：电容器中所消耗的有功功率。
13. 最大功率损耗Pmax ：电容器在最高外壳温度下可运行的最大损耗功率。
14. 外壳温升Δθcase：外壳最热点的温度与冷却空气温度之差。
15. 稳定状态的条件：电容器在恒定的输出和恒定的冷却空气温度下所达到的热平衡。
16. 热点温度θhs：电容器里出现最高温度的区域的温度。
17. 热阻Rth ：热阻用每瓦特热损耗导致电容热点温度比环境温度升高的度数来表示。
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