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CREE Sic MOSFET

科锐（Cree）发布第二代碳化硅MOSFET，相比硅材料的解决方案，它可以使系统变得更小，效率更高。在相同的功率密度和开关效率的条件下，比科锐（Cree）第一代MOSFET产品每安培成本下降一半。从这个角度说，它可以降低OEM的系统成本，终端用户的能耗和安装运输成本。

第二代碳化硅MOSFET具有高开关速度低寄生电容，高阻断电压低导通电阻正温度系数，易于并联，驱动简单等特点，广泛用于光伏，开关电源，高压DCDC变换器，电机驱动等领域;

目前，科锐（Cree）发布的碳化硅MOSFET电压等级有1200V，1700V，单管型号的导通电阻分别为25mΩ，40mΩ，80mΩ，160mΩ，280mΩ，1Ω；同时科锐（Cree）还发布的碳化硅MOSFET�？�，详细情况请联系我们。

1700-V 1200-V SiC MOSFET Packaged	1200-V SiC MOSFET Die
Packaged	Die
C2M1000170D New!	CPM2-1200-0025B
C2M0080120D	CPM2-1200-0080B
C2M0160120D New!	CPMF-1200-S080B
CMF10120D	CPMF-1200-S160B
CMF20120D
C2M0025120D
C2M0040120D
C2M0280120D
C2M1000170D

上海菱端电子科技有限公司：

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